تراشه های سه بعدی در سال های اخیر به منزلۀ یک راه حل برای مجتمع سازی مدارهای الکترونیکی دیجیتال با اندازة بسیار بزرگ مطرح شده اند. در این تراشه ها چند لایة سیلیکونی روی هم قرار می گیرند که با یک واسط عایق از هم تفکیک شده اند. ارتباط بین لایه ها با اتصالات ویژه ای به نام TSV انجام می شود. اندازة TSVها بسیار بزرگ تر از اندازة گیت های منطقی است و همچنین، ساختن این نوع اتصالات بسیار پرهزینه است؛ بنابراین، ساختن تراشه های سه بعدی با شمار TSV کمتر، یکی از اهداف مهم در طراحی این تراشه هاست. پیاده سازی مدارهای منطقی دیجیتال روی تراشه های سه بعدی در سه مرحلة کلی انجام می شود؛ بخش بندی، جانشانی و مسیردهی. در این مقاله مرحلة بخش بندی و جانشانی با استفاده از الگوریتم فراابتکاری تبرید شبیه سازی شده یا SA انجام می شود که هدف اصلی این دو مرحله، کاهش تعداد TSVها و طول سیم به کاررفته در جانشانی بلوک های منطقی است. در این مقاله، یک نسخة بهبودیافته از الگوریتم مسیریاب توسعه داده شده است که به صورت کارا سیم بندی لازم برای اتصال ماجول ها را ایجاد می کند. نتایج شبیه سازی مدارهای معیار MCNC نشان می دهند روند طراحی ارائه شده نسبت به روش های پیشین، بسیار کاراتر است. در روش بخش بندی ارائه شده نسبت به روش FSA، TSVها به اندازة 15/6 درصد و زمان اجرا به میزان 79/27 درصد کاهش یافته اند. همچنین، در مقایسه با الگوریتم بخش بندی hMetis، به اندازة 78/9 درصد کاهش در تعداد TSV ایجاد شده است. این میزان بهبود در حالی است که الگوریتم پیشنهادی به میزان 73/31 درصد سریع تر عمل می کند.

متن کامل مقاله های این شماره به زبان انگلیسی منتشر شده است، لطفا برای مشاهده مقالات به بخش انگلیسی مراجعه فرماییدلطفا برای مشاهده مقاله های این شماره اینجا را کلیک کنید.

در این پژوهش خواص مغناطوالاستیکی ترکیب های( Nd6Fe13-xCoxCu(X=0,1بررسی شده است. تحلیل پراش پرتو X نشان داد که نمونه x=0 تقریبا تک فاز است و نمونه دیگر ساختار چند فازی دارد. در اثر جانشانی اتمCo ، پارامترهای شبکه کاهش، دمای نیل فاز اصلی و دمای کوری فاز ناخالصی افزایش می یابد. در نمونه x=1 به سبب حضور فاز فرومغناطیسیyCoy17Fe2Nd ، تغییر ناهمسانگردی و افزایش اثرات تبادلی در اندازه گیری های مغناطیسی و مغناطوالاستیکی مشاهده شد. اندازه گیری های انبساط گرمایی و مغناطوتنگش در راستای موازی (λl) و عمود (λt) بر میدان با استفاده از روش پیمانه کرنشی در بازه دمایی 80 تا K 500و میدان های تا 1.5T انجام شد. ناهنجاری و رفتار اینوار در انبساط گرمایی و همچنین ضریب انبساط گرمایی α(T) در دمای نیل مشاهده می شود. مغناطوتنگش خودبه خودی خطی با نزدیک شدن به دمای نیل به سرعت کاهش می یابد و اثرات نظم مغناطیسی کوتاه  برد پس از این دما مشاهده می شود. در ناحیه میدان های کم، تنش های مغناطوتنگشی نمونه Cu13Fe6Nd کوچک است و با افزایش میدان افزایش می یابد.وابستگی دمایی منحنی های Δλ در میدان های منتخب با افزایش دما پس از عبور ازکمینه ای، به صفر نزدیک می شود. این جبران مغناطوتنگش نشان می دهد که ناهمسانگردی دو زیرشبکه آهن و خاکی نادر با علامت مخالف هم با یکدیگر در رقابت می باشند. اصل مقاله به صورت متن کامل انگلیسی، در بخش انگلیسی قابل رویت است.

شبکه های نوری شفاف با مسیردهی به تفکیک طول موج یک کاندید برای شبکه های نسل آینده با پهنای باند بالا و هزینه پایین محسوب می گردند. عوامل تخریب موجود در فیبرها و ادوات نوری این شبکه های شفاف تاثیر بسزایی بر مسیرهای نوری گذاشته به طوری که بهترین رویکرد مسیریابی که بر اساس عملکرد لایه شبکه مشخص شده، بهترین رویکرد مسیریابی بر اساس عملکرد لایه فیزیکی محسوب نمی گردد و ممکن است حتی بدترین رویکرد به نظر برسد. برای فائق آمدن بر این مساله، در این مقاله پیشنهاد خواهد شد که در رویکردهای مختلف مسیریابی باید عملکرد هر دو لایه شبکه و فیزیکی همزمان در نظر گرفته شوند و بهترین رویکرد مسیریابی باید بر اساس عملکرد کلی و نه فقط عملکرد لایه شبکه مشخص گردد. .اصل مقاله به صورت متن کامل انگلیسی، در بخش انگلیسی قابل رویت است

در این پژوهش اثر جانشانی مقادیر مختلفی از کاتیون روی (Zn) بر خواص الکترومغناطیسی و جذب مایکروویو هگزافریت باریم نوع Z با ترکیب شیمیایی Ba3Co2-xZnxFe24O41 (2، 5/1، 4/1، 3/1، 2/1، 0=x) تولید شده به روش آسیاب کاری پرانرژی مورد مطالعه قرار گرفت. جهت بررسی و تایید تشکیل فاز هگزافریت باریم نوع Z در شرایط سنتز به کار رفته از روش پراش پرتوایکس (XRD) استفاده شد. خواص مغناطش مجموعه ترکیبات تولید شده توسط مغناطیس سنج گرادیان نیروی متناوب (AGFM) مطالعه گردید و مشاهده شد که با اعمال جانشانی در ترکیب موردنظر مقدار مغناطش بیشینه افزایش می یابد، به طوری که از مقدار emu/g 67 برای نمونه ی بدون جانشانی به emu/g84 برای ترکیب در بیشترین مقدار خود می رسد. همچنین ضرایب گذردهی الکتریکی و نفوذپذیری مغناطیسی مختلط نمونه ها، توسط تحلیل گر برداری شبکه (VNA) مورد مطالعه قرار گرفت. با استفاده از ضرایب اندازه گیری شده، نمودارهای تلفات انعکاسی ترسیم شد. نتایج حاصل از نمودارهای تلفات انعکاسی (RL) نشان داد که به طور میانگین بیشترین پهنای باند جذب در بین نمونه ها در محدوده ی فرکانسی GHz 8-4 رخ داده است. بهترین کیفیت جذب (منفی ترین تلفات انعکاسی) به میزان dB 47-و در فرکانس GHz 7 برای نمونه ی با شاخص جانشانی 3/1=x مشاهده گردید.